Référence fabricantW949D2DBJX5E
Fabricant / marqueWinbond Electronics
quantité disponible164550 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
catégorie de produitMémoire
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
W949D2DBJX5E
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de mémoire
Volatile
Format de la mémoire
DRAM
La technologie
SDRAM - Mobile LPDDR
Taille mémoire
512Mb (16M x 32)
Fréquence d'horloge
200MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page
15ns
Temps d'accès
5ns
Interface de mémoire
Parallel
Tension - Alimentation
1.7 V ~ 1.95 V
Température de fonctionnement
-25°C ~ 85°C (TC)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
90-TFBGA
Package de périphérique fournisseur
90-VFBGA (8x13)
Poids
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Application
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Pièce de rechange
W949D2DBJX5E

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Numéro d'article Fabricant La description
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W949D2DBJX5E TR Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
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