Номер детали производителяRN2712JE(TE85L,F)
Производитель / МаркаToshiba Semiconductor and Storage
Доступное количество70080 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеTRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Категория продуктаТранзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию RN2712JE(TE85L,F).pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение RN2712JE(TE85L,F) в течение 24 часов.

номер части
RN2712JE(TE85L,F)
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Active
Тип транзистора
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
50V
Resistor - Base (R1)
22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
-
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - переход
200MHz
Мощность - макс.
100mW
Тип монтажа
Surface Mount
Упаковка / чехол
SOT-553
Пакет устройств поставщика
ESV
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
RN2712JE(TE85L,F)

Связанные компоненты сделаны Toshiba Semiconductor and Storage

Связанные ключевые слова "RN271"

номер части производитель Описание
RN2710JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN2711(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.2W USV
RN2711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN2712JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN2713JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV