RN2712JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 配給業者
| 製造業者識別番号 | RN2712JE(TE85L,F) |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 利用可能な数量 | 70080 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ（BJT） - アレイ、プリバイアス |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | RN2712JE(TE85L,F).pdf |
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- 品番
- RN2712JE(TE85L,F)
- 生産状況（ライフサイクル）
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Active
- トランジスタタイプ
- 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
- 電流 - コレクタ（Ic）（最大）
- 100mA
- 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大）
- 50V
- Resistor - Base (R1)
- 22 kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2)
-
- DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce
- 120 @ 1mA, 5V
- Vce飽和（最大）@Ib、Ic
- 300mV @ 250µA, 5mA
- 電流 - コレクタ遮断（最大）
- 100nA (ICBO)
- 周波数 - 遷移
- 200MHz
- 電力 - 最大
- 100mW
- 取付タイプ
- Surface Mount
- パッケージ/ケース
- SOT-553
- サプライヤデバイスパッケージ
- ESV
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- RN2712JE(TE85L,F)
によって作られた関連部品 Toshiba Semiconductor and Storage
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関連キーワード "RN271"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| RN2710JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
| RN2711(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.2W USV |
| RN2711JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
| RN2712JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
| RN2713JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |