製造業者識別番号RN2712JE(TE85L,F)
メーカー/ブランドToshiba Semiconductor and Storage
利用可能な数量70080 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
製品カテゴリトランジスタ - バイポーラ(BJT) - アレイ、プリバイアス
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード RN2712JE(TE85L,F).pdf

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品番
RN2712JE(TE85L,F)
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
トランジスタタイプ
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
電流 - コレクタ(Ic)(最大)
100mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大)
50V
Resistor - Base (R1)
22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
-
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce飽和(最大)@Ib、Ic
300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタ遮断(最大)
100nA (ICBO)
周波数 - 遷移
200MHz
電力 - 最大
100mW
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
SOT-553
サプライヤデバイスパッケージ
ESV
重量
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応用
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交換部品
RN2712JE(TE85L,F)

によって作られた関連部品 Toshiba Semiconductor and Storage

関連キーワード "RN271"

品番 メーカー 説明
RN2710JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN2711(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.2W USV
RN2711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN2712JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN2713JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV