.JPG)
TSM280NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation дистрибьютор
| Номер детали производителя | TSM280NB06LCR RLG |
|---|---|
| Производитель / Марка | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Доступное количество | 174610 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | TSM280NB06LCR RLG.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение TSM280NB06LCR RLG в течение 24 часов.
- номер части
- TSM280NB06LCR RLG
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 60V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 7A (Ta), 28A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 28 mOhm @ 7A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 18nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 969pF @ 30V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 3.1W (Ta), 56W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- 8-PDFN (5x6)
- Упаковка / чехол
- 8-PowerLDFN
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- TSM280NB06LCR RLG
Связанные компоненты сделаны Taiwan Semiconductor Corporation
Связанные ключевые слова "TSM28"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| TSM280NB06LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH |