.JPG)
TSM280NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Distributore
| codice articolo del costruttore | TSM280NB06LCR RLG |
|---|---|
| Produttore / Marca | Taiwan Semiconductor Corporation |
| quantité disponible | 174610 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | TSM280NB06LCR RLG.pdf |
Si prega di compilare il modulo di richiesta sottostante, ti risponderemo per il preventivo TSM280NB06LCR RLG entro 24 ore.
- Numero di parte
- TSM280NB06LCR RLG
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 60V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 7A (Ta), 28A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 28 mOhm @ 7A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 18nC @ 10V
- Vgs (massimo)
- ±20V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 969pF @ 30V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 3.1W (Ta), 56W (Tc)
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- 8-PDFN (5x6)
- Pacchetto / caso
- 8-PowerLDFN
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- TSM280NB06LCR RLG
Componenti correlati realizzati da Taiwan Semiconductor Corporation
Parole chiave correlate per "TSM28"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| TSM280NB06LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH |