PHD3055E,118 NXP USA Inc. дистрибьютор
| Номер детали производителя | PHD3055E,118 |
|---|---|
| Производитель / Марка | NXP USA Inc. |
| Доступное количество | 106920 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | PHD3055E,118.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение PHD3055E,118 в течение 24 часов.
- номер части
- PHD3055E,118
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Obsolete
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 60V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 10.3A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 150 mOhm @ 5.5A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 5.8nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 250pF @ 25V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 33W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- DPAK
- Упаковка / чехол
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- PHD3055E,118
Связанные компоненты сделаны NXP USA Inc.
Связанные ключевые слова "PHD3"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| PHD3055E,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK |
| PHD36N03LT,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 43.4A DPAK |
| PHD38N02LT,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK |