製造業者識別番号PHD3055E,118
メーカー/ブランドNXP USA Inc.
利用可能な数量106920 Pieces
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簡単な説明MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
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品番
PHD3055E,118
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
10.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
150 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
4V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
5.8nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
250pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
33W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
DPAK
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量
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応用
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交換部品
PHD3055E,118

によって作られた関連部品 NXP USA Inc.

関連キーワード "PHD3"

品番 メーカー 説明
PHD3055E,118 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK
PHD36N03LT,118 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 30V 43.4A DPAK
PHD38N02LT,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK