Номер детали производителяAFT09H310-04GSR6
Производитель / МаркаNXP USA Inc.
Доступное количество91960 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеFET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230-4GS
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию AFT09H310-04GSR6.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение AFT09H310-04GSR6 в течение 24 часов.

номер части
AFT09H310-04GSR6
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Active
Тип транзистора
N-Channel
частота
920MHz
Усиление
17.9dB
Напряжение - испытание
28V
Текущий рейтинг
-
Коэффициент шума
-
Текущий - Тест
680mA
Выходная мощность
56W
Напряжение - Номинальное напряжение
70V
Упаковка / чехол
NI-1230S-4 GW
Пакет устройств поставщика
NI-1230S-4 GULL
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
AFT09H310-04GSR6

Связанные компоненты сделаны NXP USA Inc.

Связанные ключевые слова "AFT09"

номер части производитель Описание
AFT09H310-03SR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230S-4S
AFT09H310-04GSR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230-4GS
AFT09MP055GNR1 NXP USA Inc. FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270
AFT09MP055NR1 NXP USA Inc. FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270
AFT09MS007NT1 NXP USA Inc. FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W
AFT09MS015NT1 NXP USA Inc. FET RF 40V 870MHZ PLD
AFT09MS031GNR1 NXP USA Inc. FET RF 40V 870MHZ TO270-2G
AFT09MS031NR1 NXP USA Inc. FET RF 40V 870MHZ TO-270-2
AFT09S200W02GNR3 NXP USA Inc. FET RF 70V 960MHZ PLD
AFT09S200W02NR3 NXP USA Inc. FET RF 70V 960MHZ PLD
AFT09S200W02SR3 NXP USA Inc. RF MOSFET LDMOS 4W PLD
AFT09S220-02NR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS