Número de pieza del fabricanteAFT09H310-04GSR6
Fabricante / MarcaNXP USA Inc.
Cantidad disponible91960 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónFET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230-4GS
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - RF
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
AFT09H310-04GSR6
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de transistor
N-Channel
Frecuencia
920MHz
Ganancia
17.9dB
Voltaje - Prueba
28V
Valoración actual
-
Figura de ruido
-
Actual - Prueba
680mA
Salida de potencia
56W
Voltaje - Clasificación
70V
Paquete / caja
NI-1230S-4 GW
Paquete de dispositivo del proveedor
NI-1230S-4 GULL
Peso
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Solicitud
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Repuesto
AFT09H310-04GSR6

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Número de pieza Fabricante Descripción
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AFT09H310-04GSR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230-4GS
AFT09MP055GNR1 NXP USA Inc. FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270
AFT09MP055NR1 NXP USA Inc. FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270
AFT09MS007NT1 NXP USA Inc. FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W
AFT09MS015NT1 NXP USA Inc. FET RF 40V 870MHZ PLD
AFT09MS031GNR1 NXP USA Inc. FET RF 40V 870MHZ TO270-2G
AFT09MS031NR1 NXP USA Inc. FET RF 40V 870MHZ TO-270-2
AFT09S200W02GNR3 NXP USA Inc. FET RF 70V 960MHZ PLD
AFT09S200W02NR3 NXP USA Inc. FET RF 70V 960MHZ PLD
AFT09S200W02SR3 NXP USA Inc. RF MOSFET LDMOS 4W PLD
AFT09S220-02NR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS