Номер детали производителяAPT33GF120B2RDQ2G
Производитель / МаркаMicrosemi Corporation
Доступное количество193900 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеIGBT 1200V 64A 357W TMAX
Категория продуктаТранзисторы - IGBT - Single
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию APT33GF120B2RDQ2G.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение APT33GF120B2RDQ2G в течение 24 часов.

номер части
APT33GF120B2RDQ2G
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Active
Тип IGBT
NPT
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
64A
Текущий - коллектор импульсный (Icm)
75A
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 25A
Мощность - макс.
357W
Энергия переключения
1.315µJ (on), 1.515µJ (off)
Тип ввода
Standard
Ворота затвора
170nC
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C
14ns/185ns
Условия тестирования
800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr)
-
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Упаковка / чехол
TO-247-3 Variant
Пакет устройств поставщика
-
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
APT33GF120B2RDQ2G

Связанные компоненты сделаны Microsemi Corporation

Связанные ключевые слова "APT33"

номер части производитель Описание
APT33GF120B2RDQ2G Microsemi Corporation IGBT 1200V 64A 357W TMAX
APT33GF120BRG Microsemi Corporation IGBT 1200V 52A 297W TO247
APT33GF120LRDQ2G Microsemi Corporation IGBT 1200V 64A 357W TO264
APT33N90JCCU2 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
APT33N90JCCU3 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
APT33N90JCU2 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
APT33N90JCU3 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 900V 33A SOT227