제조업체 부품 번호APT33GF120B2RDQ2G
제조업체 / 브랜드Microsemi Corporation
사용 가능한 수량193900 Pieces
단가Quote by Email ([email protected])
간단한 설명IGBT 1200V 64A 357W TMAX
제품 카테고리트랜지스터 - IGBT - 단일
무연 여부 / RoHS 준수 여부Lead free / RoHS Compliant
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
배달 시간1-2 Days
날짜 코드 (D / C)New
데이터 시트 다운로드 APT33GF120B2RDQ2G.pdf

아래의 문의 양식을 작성해주십시오. APT33GF120B2RDQ2G 24 시간 이내.

부품 번호
APT33GF120B2RDQ2G
생산 상태 (수명주기)
Contact us
제조업체 리드 타임
6-8 weeks
조건
New & Unused, Original Sealed
배송 방식
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
부품 상태
Active
IGBT 형
NPT
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)
64A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm)
75A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 25A
전력 - 최대
357W
스위칭 에너지
1.315µJ (on), 1.515µJ (off)
입력 유형
Standard
게이트 차지
170nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C
14ns/185ns
시험 조건
800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr)
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-247-3 Variant
공급 업체 장치 패키지
-
무게
Contact us
신청
Email for details
교체 부품
APT33GF120B2RDQ2G

관련 부품 Microsemi Corporation

관련 키워드 "APT33"

부품 번호 제조사 기술
APT33GF120B2RDQ2G Microsemi Corporation IGBT 1200V 64A 357W TMAX
APT33GF120BRG Microsemi Corporation IGBT 1200V 52A 297W TO247
APT33GF120LRDQ2G Microsemi Corporation IGBT 1200V 64A 357W TO264
APT33N90JCCU2 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
APT33N90JCCU3 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
APT33N90JCU2 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
APT33N90JCU3 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 900V 33A SOT227