Номер детали производителяIPI110N20N3GAKSA1
Производитель / МаркаInfineon Technologies
Доступное количество78140 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеMOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию IPI110N20N3GAKSA1.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPI110N20N3GAKSA1 в течение 24 часов.

номер части
IPI110N20N3GAKSA1
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)
200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
88A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 88A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
87nC @ 10V
Vgs (Макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
7100pF @ 100V
Функция FET
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет устройств поставщика
PG-TO262-3
Упаковка / чехол
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
IPI110N20N3GAKSA1

Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies

Связанные ключевые слова "IPI11"

номер части производитель Описание
IPI110N20N3GAKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
IPI111N15N3GAKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
IPI11N03LA Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK
IPI11N60C3AAKSA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH I2PAK