номер части

IPI110N20N3GAKSA1

Состояние производства (жизненный цикл)

Contact us

Время выполнения производителя

6-8 weeks

Состояние

New & Unused, Original Sealed

Способ доставки

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Статус детали

Active

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

200V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

88A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 88A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 270µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

87nC @ 10V

Vgs (Макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

7100pF @ 100V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

300W (Tc)

Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройств поставщика

PG-TO262-3

Упаковка / чехол

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Вес

Contact us

заявка

Email for details

Сменная часть

IPI110N20N3GAKSA1