IPI110N20N3GAKSA1 Infineon Technologies Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | IPI110N20N3GAKSA1 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Infineon Technologies |
| Cantidad disponible | 78140 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3 |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | IPI110N20N3GAKSA1.pdf |
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- Número de pieza
- IPI110N20N3GAKSA1
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Active
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 200V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 88A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 11 mOhm @ 88A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 270µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 87nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 7100pF @ 100V
- Característica FET
-
- Disipación de potencia (Máx)
- 300W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Through Hole
- Paquete de dispositivo del proveedor
- PG-TO262-3
- Paquete / caja
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- IPI110N20N3GAKSA1
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Palabras clave relacionadas para "IPI11"
| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| IPI110N20N3GAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3 |
| IPI111N15N3GAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3 |
| IPI11N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK |
| IPI11N60C3AAKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH I2PAK |