IPD25CNE8N G Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IPD25CNE8N G |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Доступное количество | 132890 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | IPD25CNE8N G.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPD25CNE8N G в течение 24 часов.
- номер части
- IPD25CNE8N G
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Obsolete
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 85V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 35A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 25 mOhm @ 35A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 39µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 31nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 2070pF @ 40V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 71W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- PG-TO252-3
- Упаковка / чехол
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- IPD25CNE8N G
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
.jpg "AUIPS6011S")
Связанные ключевые слова "IPD2"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IPD200N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3 |
| IPD200N15N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3 |
| IPD20N03L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A DPAK |
| IPD20N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A DPAK |
| IPD220N06L3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 |
| IPD22N08S2L50ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3 |
| IPD230N06NGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 30A DPAK |
| IPD250N06N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3 |
| IPD25CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 |
| IPD25CN10NGBUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 |
| IPD25CNE8N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3 |
| IPD25N06S240ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3 |