Номер детали производителяIPD220N06L3GBTMA1
Производитель / МаркаInfineon Technologies
Доступное количество72200 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеMOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию IPD220N06L3GBTMA1.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPD220N06L3GBTMA1 в течение 24 часов.

номер части
IPD220N06L3GBTMA1
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)
60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 11µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Vgs (Макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
1600pF @ 30V
Функция FET
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
36W (Tc)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет устройств поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / чехол
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
IPD220N06L3GBTMA1

Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies

Связанные ключевые слова "IPD22"

номер части производитель Описание
IPD220N06L3GBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
IPD22N08S2L50ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3