IPB50R299CPATMA1 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IPB50R299CPATMA1 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Доступное количество | 169940 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 550V 12A TO-263 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | IPB50R299CPATMA1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPB50R299CPATMA1 в течение 24 часов.
- номер части
- IPB50R299CPATMA1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Last Time Buy
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 550V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 12A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 299 mOhm @ 6.6A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 440µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 31nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 1190pF @ 100V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 104W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- PG-TO263-3-2
- Упаковка / чехол
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- IPB50R299CPATMA1
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "IPB50"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IPB50CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3 |
| IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3 |
| IPB50N12S3L15ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ |
| IPB50R140CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 23A TO-263 |
| IPB50R199CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 17A TO-263 |
| IPB50R250CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 13A TO-263 |
| IPB50R299CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 12A TO-263 |