Номер детали производителяBSM75GB120DN2HOSA1
Производитель / МаркаInfineon Technologies
Доступное количество48710 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеIGBT 2 MED POWER 34MM-1
Категория продуктаТранзисторы - IGBT - Модули
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию BSM75GB120DN2HOSA1.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение BSM75GB120DN2HOSA1 в течение 24 часов.

номер части
BSM75GB120DN2HOSA1
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Not For New Designs
Тип IGBT
-
конфигурация
Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
105A
Мощность - макс.
625W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 75A
Ток - отсечка коллектора (макс.)
1.5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce
5.5nF @ 25V
вход
Standard
Термистор NTC
No
Рабочая Температура
150°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Упаковка / чехол
Module
Пакет устройств поставщика
Module
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
BSM75GB120DN2HOSA1

Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies

Связанные ключевые слова "BSM75G"

номер части производитель Описание
BSM75GAL120DN2HOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 MED POWER 34MM-1
BSM75GAR120DN2HOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 MED POWER 34MM-1
BSM75GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 MED POWER 34MM-1
BSM75GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 MED POWER 34MM-1
BSM75GB60DLCHOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE 600V 100A
BSM75GD120DLCBOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
BSM75GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
BSM75GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
BSM75GP60BOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3