Número da peça

SI3851DV-T1-E3

Status de produção (ciclo de vida)

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Tempo de espera do fabricante

6-8 weeks

Condição

New & Unused, Original Sealed

Forma de envio

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Status da Parte

Active

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

30V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

1.6A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200 mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.6nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET Feature

Schottky Diode (Isolated)

Dissipação de energia (máx.)

830mW (Ta)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos de fornecedores

6-TSOP

Pacote / Caso

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Peso

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Aplicação

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Peça de reposição

SI3851DV-T1-E3