Numero di parte

SI3851DV-T1-E3

Stato di produzione (ciclo di vita)

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Tempo di consegna del produttore

6-8 weeks

Condizione

New & Unused, Original Sealed

Modo di spedizione

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Stato parte

Active

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.6A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200 mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.6nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Caratteristica FET

Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max)

830mW (Ta)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

Pacchetto / caso

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Peso

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Applicazione

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Pezzo di ricambio

SI3851DV-T1-E3