Número de pieza

SI3851DV-T1-E3

Estado de producción (ciclo de vida)

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Fabricante plazo de ejecución

6-8 weeks

Condición

New & Unused, Original Sealed

forma de envio

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Estado de la pieza

Active

Tipo de FET

P-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Drene a la fuente de voltaje (Vdss)

30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C

1.6A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200 mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

3.6nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-

Característica FET

Schottky Diode (Isolated)

Disipación de potencia (Máx)

830mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivo del proveedor

6-TSOP

Paquete / caja

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Peso

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Repuesto

SI3851DV-T1-E3