Número da peça do fabricanteTP65H035WS
Fabricante / MarcaTransphorm
Quantidade disponível45020 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breve650 V 46.5 CASCODE GAN FET
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
TP65H035WS
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
46.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41 mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.8V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 8V
Vgs (Max)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 400V
FET Feature
-
Dissipação de energia (máx.)
156W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos de fornecedores
TO-247-3
Pacote / Caso
TO-247-3
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
TP65H035WS

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