製造業者識別番号TP65H035WS
メーカー/ブランドTransphorm
利用可能な数量45020 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明650 V 46.5 CASCODE GAN FET
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード TP65H035WS.pdf

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品番
TP65H035WS
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
46.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
41 mOhm @ 30A, 8V
Vgs(th)(Max)@ Id
4.8V @ 700µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
36nC @ 8V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
1500pF @ 400V
FET機能
-
消費電力(最大)
156W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ
TO-247-3
パッケージ/ケース
TO-247-3
重量
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応用
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交換部品
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