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TPCF8B01(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor
| Número da peça do fabricante | TPCF8B01(TE85L,F,M |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Quantidade disponível | 47220 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8 |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf |
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- Número da peça
- TPCF8B01(TE85L,F,M
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Obsolete
- Tipo FET
- P-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
- 20V
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 2.7A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 110 mOhm @ 1.4A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.2V @ 200µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 6nC @ 5V
- Vgs (Max)
- ±8V
- Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 470pF @ 10V
- FET Feature
- Schottky Diode (Isolated)
- Dissipação de energia (máx.)
- 330mW (Ta)
- Temperatura de operação
- 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- VS-8 (2.9x1.5)
- Pacote / Caso
- 8-SMD, Flat Lead
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- TPCF8B01(TE85L,F,M
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| Número da peça | Fabricante | Descrição |
|---|---|---|
| TPCF8B01(TE85L,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8 |