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TPCF8B01(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage Distributore
| codice articolo del costruttore | TPCF8B01(TE85L,F,M |
|---|---|
| Produttore / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
| quantité disponible | 47220 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8 |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf |
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- Numero di parte
- TPCF8B01(TE85L,F,M
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Obsolete
- Tipo FET
- P-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 20V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 2.7A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 110 mOhm @ 1.4A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.2V @ 200µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 6nC @ 5V
- Vgs (massimo)
- ±8V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 470pF @ 10V
- Caratteristica FET
- Schottky Diode (Isolated)
- Dissipazione di potenza (max)
- 330mW (Ta)
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- VS-8 (2.9x1.5)
- Pacchetto / caso
- 8-SMD, Flat Lead
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- TPCF8B01(TE85L,F,M
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Parole chiave correlate per "TPCF8B"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| TPCF8B01(TE85L,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8 |