TK4A60DB(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor
| Número da peça do fabricante | TK4A60DB(STA4,Q,M) |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Quantidade disponível | 101480 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | TK4A60DB(STA4,Q,M).pdf |
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- Número da peça
- TK4A60DB(STA4,Q,M)
- Status de produção (ciclo de vida)
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- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
- 600V
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 3.7A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 2 Ohm @ 1.9A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4.4V @ 1mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 11nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 540pF @ 25V
- FET Feature
-
- Dissipação de energia (máx.)
- 35W (Tc)
- Temperatura de operação
- 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Through Hole
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- TO-220SIS
- Pacote / Caso
- TO-220-3 Full Pack
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- TK4A60DB(STA4,Q,M)
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| Número da peça | Fabricante | Descrição |
|---|---|---|
| TK4A60D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS |
| TK4A60DA(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS |
| TK4A60DB(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS |