TK4A60DB(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Distributore
| codice articolo del costruttore | TK4A60DB(STA4,Q,M) |
|---|---|
| Produttore / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
| quantité disponible | 101480 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | TK4A60DB(STA4,Q,M).pdf |
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- Numero di parte
- TK4A60DB(STA4,Q,M)
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 600V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 3.7A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 2 Ohm @ 1.9A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4.4V @ 1mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 11nC @ 10V
- Vgs (massimo)
- ±30V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 540pF @ 25V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 35W (Tc)
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Through Hole
- Pacchetto dispositivo fornitore
- TO-220SIS
- Pacchetto / caso
- TO-220-3 Full Pack
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- TK4A60DB(STA4,Q,M)
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| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| TK4A60D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS |
| TK4A60DA(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS |
| TK4A60DB(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS |