Número da peça do fabricanteTH58BYG2S3HBAI6
Fabricante / MarcaToshiba Memory America, Inc.
Quantidade disponível18790 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveIC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Categoria de ProdutoMemória
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
TH58BYG2S3HBAI6
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Active
Tipo de memória
Non-Volatile
Formato de Memória
FLASH
Tecnologia
FLASH - NAND (SLC)
Tamanho da memória
4Gb (512M x 8)
Freqüência do relógio
-
Escreva tempo de ciclo - Palavra, Página
25ns
Tempo de acesso
25ns
Interface de Memória
Parallel
Tensão - Fornecimento
1.7 V ~ 1.95 V
Temperatura de operação
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
67-VFBGA
Pacote de dispositivos de fornecedores
67-VFBGA (6.5x8)
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
TH58BYG2S3HBAI6

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