製造業者識別番号TH58BYG2S3HBAI6
メーカー/ブランドToshiba Memory America, Inc.
利用可能な数量18790 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
製品カテゴリメモリ
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード TH58BYG2S3HBAI6.pdf

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品番
TH58BYG2S3HBAI6
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
メモリの種類
Non-Volatile
メモリフォーマット
FLASH
技術
FLASH - NAND (SLC)
メモリー容量
4Gb (512M x 8)
クロック周波数
-
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
25ns
アクセス時間
25ns
メモリインターフェイス
Parallel
電圧 - 供給
1.7 V ~ 1.95 V
動作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
67-VFBGA
サプライヤデバイスパッケージ
67-VFBGA (6.5x8)
重量
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応用
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交換部品
TH58BYG2S3HBAI6

によって作られた関連部品 Toshiba Memory America, Inc.

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品番 メーカー 説明
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