Número da peça do fabricanteH7N1002LSTL-E
Fabricante / MarcaRenesas Electronics America
Quantidade disponível164560 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveMOSFET N-CH 100V LDPAK
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados H7N1002LSTL-E.pdf

Por favor preencha o formulário de inquérito abaixo, nós responderemos a cotação para H7N1002LSTL-E dentro de 24 horas.

Número da peça
H7N1002LSTL-E
Status de produção (ciclo de vida)
Contact us
Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
75A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
155nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
9700pF @ 10V
FET Feature
-
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores
4-LDPAK
Pacote / Caso
SC-83
Peso
Contact us
Aplicação
Email for details
Peça de reposição
H7N1002LSTL-E

Componentes relacionados feitos por Renesas Electronics America

Palavras-chave relacionadas para "H7N1"

Número da peça Fabricante Descrição
H7N1002LS-E Renesas Electronics America MOSFET N-CH 100V LDPAK
H7N1002LSTL-E Renesas Electronics America MOSFET N-CH 100V LDPAK