H7N1002LSTL-E Renesas Electronics America Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | H7N1002LSTL-E |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Renesas Electronics America |
| Cantidad disponible | 164560 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET N-CH 100V LDPAK |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | H7N1002LSTL-E.pdf |
Por favor complete el siguiente formulario de consulta, le responderemos la cotización de H7N1002LSTL-E en 24 horas.
- Número de pieza
- H7N1002LSTL-E
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Active
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 100V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 75A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 10 mOhm @ 37.5A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
-
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 155nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 9700pF @ 10V
- Característica FET
-
- Disipación de potencia (Máx)
- 100W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete de dispositivo del proveedor
- 4-LDPAK
- Paquete / caja
- SC-83
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- H7N1002LSTL-E
Componentes relacionados hechos por Renesas Electronics America
Palabras clave relacionadas para "H7N1"
| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| H7N1002LS-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V LDPAK |
| H7N1002LSTL-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V LDPAK |