Número da peça do fabricanteAPTM100A46FT1G
Fabricante / MarcaMicrosemi Corporation
Quantidade disponível45220 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveMOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
APTM100A46FT1G
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Obsolete
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature
Standard
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1000V (1kV)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
19A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
552 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
6800pF @ 25V
Power - Max
357W
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote / Caso
SP1
Pacote de dispositivos de fornecedores
SP1
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
APTM100A46FT1G

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