Número de pieza del fabricanteAPTM100A46FT1G
Fabricante / MarcaMicrosemi Corporation
Cantidad disponible45220 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónMOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Arreglos
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
APTM100A46FT1G
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo de FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET
Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
1000V (1kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
19A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
552 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
6800pF @ 25V
Potencia - Max
357W
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / caja
SP1
Paquete de dispositivo del proveedor
SP1
Peso
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Solicitud
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Repuesto
APTM100A46FT1G

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