Fabricantes para Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, pré-tendenciosos
| Número da peça | Fabricante / Marca | Descrição breve | Status da Parte | Tipo de transistor | Current - Collector (Ic) (Max) | Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | Resistor - Base (R1) | Resistor - Emitter Base (R2) | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | Current - Collector Cutoff (Max) | Frequência - Transição | Power - Max | Tipo de montagem | Pacote / Caso | Pacote de dispositivos de fornecedores |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV | Active | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) | 100mA | 50V | 22 kOhms | 22 kOhms | 70 @ 10mA, 5V | 300mV @ 250µA, 5mA | 100nA (ICBO) | 200MHz | 100mW | Surface Mount | SOT-553 | ESV |