のメーカー トランジスタ - バイポーラ（BJT） - アレイ、プリバイアス
| 品番 | メーカー/ブランド | 簡単な説明 | 部品ステータス | トランジスタタイプ | 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | Resistor - Base (R1) | Resistor - Emitter Base (R2) | DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce | Vce飽和（最大）@Ib、Ic | 電流 - コレクタ遮断（最大） | 周波数 - 遷移 | 電力 - 最大 | 取付タイプ | パッケージ/ケース | サプライヤデバイスパッケージ |
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| Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV | Active | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) | 100mA | 50V | 22 kOhms | 22 kOhms | 70 @ 10mA, 5V | 300mV @ 250µA, 5mA | 100nA (ICBO) | 200MHz | 100mW | Surface Mount | SOT-553 | ESV |