Fabricantes de Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados
| Número de pieza | Fabricante / Marca | Breve descripción | Estado de la pieza | Tipo de transistor | Current - Collector (Ic) (Max) | Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | Resistor - Base (R1) | Resistor - Emitter Base (R2) | Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | Corriente - corte de colector (máximo) | Frecuencia - Transición | Potencia - Max | Tipo de montaje | Paquete / caja | Paquete de dispositivo del proveedor |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV | Active | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) | 100mA | 50V | 22 kOhms | 22 kOhms | 70 @ 10mA, 5V | 300mV @ 250µA, 5mA | 100nA (ICBO) | 200MHz | 100mW | Surface Mount | SOT-553 | ESV |