Número da peça

IXTD3N60P-2J

Status de produção (ciclo de vida)

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Tempo de espera do fabricante

6-8 weeks

Condição

New & Unused, Original Sealed

Forma de envio

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Status da Parte

Last Time Buy

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

600V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

411pF @ 25V

FET Feature

-

Dissipação de energia (máx.)

70W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos de fornecedores

Die

Pacote / Caso

Die

Peso

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Aplicação

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Peça de reposição

IXTD3N60P-2J