IXTD3N60P-2J IXYS Distributore
| codice articolo del costruttore | IXTD3N60P-2J |
|---|---|
| Produttore / Marca | IXYS |
| quantité disponible | 84720 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET N-CH 600 |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | IXTD3N60P-2J.pdf |
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- Numero di parte
- IXTD3N60P-2J
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Last Time Buy
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 600V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 3A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 2.9 Ohm @ 1.5A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 5.5V @ 50µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 9.8nC @ 10V
- Vgs (massimo)
- ±30V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 411pF @ 25V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 70W (Tc)
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- Die
- Pacchetto / caso
- Die
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- IXTD3N60P-2J
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Parole chiave correlate per "IXTD"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| IXTD1R4N60P 11 | IXYS | MOSFET N-CH 600V |
| IXTD2N60P-1J | IXYS | MOSFET N-CH 600 |
| IXTD3N50P-2J | IXYS | MOSFET N-CH 500 |
| IXTD3N60P-2J | IXYS | MOSFET N-CH 600 |
| IXTD4N80P-3J | IXYS | MOSFET N-CH 800 |
| IXTD5N100A | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 5A DIE |