BSG0813NDIATMA1 Infineon Technologies Distribuidor
Número da peça do fabricante | BSG0813NDIATMA1 |
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Fabricante / Marca | Infineon Technologies |
Quantidade disponível | 82910 Pieces |
Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
Descrição breve | MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON |
Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega | 1-2 Days |
Código de Data (D / C) | New |
Download da folha de dados | BSG0813NDIATMA1.pdf |
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- Número da peça
- BSG0813NDIATMA1
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Active
- Tipo FET
- 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- FET Feature
- Logic Level Gate, 4.5V Drive
- Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
- 25V
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 19A, 33A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 3 mOhm @ 20A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 8.4nC @ 4.5V
- Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 1100pF @ 12V
- Power - Max
- 2.5W
- Temperatura de operação
- -55°C ~ 155°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote / Caso
- 8-PowerTDFN
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- PG-TISON-8
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- BSG0813NDIATMA1
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Número da peça | Fabricante | Descrição |
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