BSG0813NDIATMA1 Infineon Technologies Distributeur
| Référence fabricant | BSG0813NDIATMA1 |
|---|---|
| Fabricant / marque | Infineon Technologies |
| quantité disponible | 82910 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Matrices |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | BSG0813NDIATMA1.pdf |
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- Numéro d'article
- BSG0813NDIATMA1
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- FET Type
- 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- FET Caractéristique
- Logic Level Gate, 4.5V Drive
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 25V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 19A, 33A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 3 mOhm @ 20A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2V @ 250µA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 8.4nC @ 4.5V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 1100pF @ 12V
- Puissance - Max
- 2.5W
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 155°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Paquet / cas
- 8-PowerTDFN
- Package de périphérique fournisseur
- PG-TISON-8
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- BSG0813NDIATMA1
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Mots-clés associés pour "BSG08"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| BSG0810NDIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON |
| BSG0811NDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON |
| BSG0812NDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TISON |
| BSG0813NDIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON |