Número da peça do fabricanteDMG8601UFG-7
Fabricante / MarcaDiodes Incorporated
Quantidade disponível125810 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveMOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
DMG8601UFG-7
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
6.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.05V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.8nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
143pF @ 10V
Power - Max
920mW
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
8-PowerUDFN
Pacote de dispositivos de fornecedores
U-DFN3030-8
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
DMG8601UFG-7

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