製造業者識別番号DMG8601UFG-7
メーカー/ブランドDiodes Incorporated
利用可能な数量125810 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード DMG8601UFG-7.pdf

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品番
DMG8601UFG-7
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能
Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
6.1A
Rds On(Max)@ Id、Vgs
23 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id
1.05V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
8.8nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
143pF @ 10V
電力 - 最大
920mW
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-PowerUDFN
サプライヤデバイスパッケージ
U-DFN3030-8
重量
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応用
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交換部品
DMG8601UFG-7

によって作られた関連部品 Diodes Incorporated

関連キーワード "DMG8"

品番 メーカー 説明
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