제조업체 부품 번호W979H2KBQX2I
제조업체 / 브랜드Winbond Electronics
사용 가능한 수량189420 Pieces
단가Quote by Email ([email protected])
간단한 설명IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA
제품 카테고리메모리
무연 여부 / RoHS 준수 여부Lead free / RoHS Compliant
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
배달 시간1-2 Days
날짜 코드 (D / C)New
데이터 시트 다운로드 W979H2KBQX2I.pdf

아래의 문의 양식을 작성해주십시오. W979H2KBQX2I 24 시간 이내.

부품 번호
W979H2KBQX2I
생산 상태 (수명주기)
Contact us
제조업체 리드 타임
6-8 weeks
조건
New & Unused, Original Sealed
배송 방식
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
부품 상태
Active
메모리 유형
Volatile
메모리 형식
DRAM
과학 기술
SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기
512Mb (16M x 32)
클럭 주파수
400MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
15ns
액세스 시간
-
메모리 인터페이스
Parallel
전압 - 공급
1.14 V ~ 1.95 V
작동 온도
-40°C ~ 85°C (TA)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
168-WFBGA
공급 업체 장치 패키지
168-WFBGA (12x12)
무게
Contact us
신청
Email for details
교체 부품
W979H2KBQX2I

관련 부품 Winbond Electronics

관련 키워드 "W979"

부품 번호 제조사 기술
W979H2KBQX2E Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA
W979H2KBQX2I Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA
W979H2KBVX2E Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
W979H2KBVX2I Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
W979H6KBQX2E Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA
W979H6KBQX2I Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA
W979H6KBVX2E Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
W979H6KBVX2E TR Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
W979H6KBVX2I Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
W979H6KBVX2I TR Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA