製造業者識別番号W979H2KBQX2I
メーカー/ブランドWinbond Electronics
利用可能な数量189420 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA
製品カテゴリメモリ
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード W979H2KBQX2I.pdf

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品番
W979H2KBQX2I
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
メモリの種類
Volatile
メモリフォーマット
DRAM
技術
SDRAM - Mobile LPDDR2
メモリー容量
512Mb (16M x 32)
クロック周波数
400MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
15ns
アクセス時間
-
メモリインターフェイス
Parallel
電圧 - 供給
1.14 V ~ 1.95 V
動作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
168-WFBGA
サプライヤデバイスパッケージ
168-WFBGA (12x12)
重量
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応用
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交換部品
W979H2KBQX2I

によって作られた関連部品 Winbond Electronics

関連キーワード "W979"

品番 メーカー 説明
W979H2KBQX2E Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA
W979H2KBQX2I Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA
W979H2KBVX2E Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
W979H2KBVX2I Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
W979H6KBQX2E Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA
W979H6KBQX2I Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA
W979H6KBVX2E Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
W979H6KBVX2E TR Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
W979H6KBVX2I Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
W979H6KBVX2I TR Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA