제조업체 부품 번호MT3S111(TE85L,F)
제조업체 / 브랜드Toshiba Semiconductor and Storage
사용 가능한 수량75190 Pieces
단가Quote by Email ([email protected])
간단한 설명RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
제품 카테고리트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
무연 여부 / RoHS 준수 여부Lead free / RoHS Compliant
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
배달 시간1-2 Days
날짜 코드 (D / C)New
데이터 시트 다운로드 MT3S111(TE85L,F).pdf

아래의 문의 양식을 작성해주십시오. MT3S111(TE85L,F) 24 시간 이내.

부품 번호
MT3S111(TE85L,F)
생산 상태 (수명주기)
Contact us
제조업체 리드 타임
6-8 weeks
조건
New & Unused, Original Sealed
배송 방식
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
부품 상태
Active
트랜지스터 유형
NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
6V
빈도 - 전환
11.5GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f)
1.2dB @ 1GHz
이득
12dB
전력 - 최대
700mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
200 @ 30mA, 5V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)
100mA
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 업체 장치 패키지
S-Mini
무게
Contact us
신청
Email for details
교체 부품
MT3S111(TE85L,F)

관련 부품 Toshiba Semiconductor and Storage

관련 키워드 "MT3S1"

부품 번호 제조사 기술
MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
MT3S111P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
MT3S113P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
MT3S113TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
MT3S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR RF NPN 5V 1GHZ USM