Référence fabricantMT3S111(TE85L,F)
Fabricant / marqueToshiba Semiconductor and Storage
quantité disponible75190 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionRF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
catégorie de produitTransistors - Bipolaires (BJT) - RF
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique MT3S111(TE85L,F).pdf

S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour MT3S111(TE85L,F) Dans les 24 heures.

Numéro d'article
MT3S111(TE85L,F)
Statut de production (cycle de vie)
Contact us
Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de transistor
NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
6V
Fréquence - Transition
11.5GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f)
1.2dB @ 1GHz
Gain
12dB
Puissance - Max
700mW
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 30mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
100mA
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur
S-Mini
Poids
Contact us
Application
Email for details
Pièce de rechange
MT3S111(TE85L,F)

Composants connexes fabriqués par Toshiba Semiconductor and Storage

Mots-clés associés pour "MT3S1"

Numéro d'article Fabricant La description
MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
MT3S111P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
MT3S113P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
MT3S113TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
MT3S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR RF NPN 5V 1GHZ USM