MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Distributeur
Référence fabricant | MT3S111(TE85L,F) |
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Fabricant / marque | Toshiba Semiconductor and Storage |
quantité disponible | 75190 Pieces |
Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
Brève description | RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N |
catégorie de produit | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | MT3S111(TE85L,F).pdf |
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- Numéro d'article
- MT3S111(TE85L,F)
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- Type de transistor
- NPN
- Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
- 6V
- Fréquence - Transition
- 11.5GHz
- Figure de bruit (dB Typ @ f)
- 1.2dB @ 1GHz
- Gain
- 12dB
- Puissance - Max
- 700mW
- Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 200 @ 30mA, 5V
- Courant - Collecteur (Ic) (Max)
- 100mA
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Paquet / cas
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Package de périphérique fournisseur
- S-Mini
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- MT3S111(TE85L,F)
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