부품 번호 제조업체 / 브랜드 간단한 설명 부품 상태IGBT 형구성전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)전력 - 최대VCE (on) (최대) @ Vge, Ic전류 - 콜렉터 차단 (최대)입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce입력NTC 서미스터작동 온도실장 형패키지 / 케이스공급 업체 장치 패키지
GeneSiC Semiconductor IGBT 1200V 100A SOT-227 ActivePTSingle1200V100A
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2V @ 15V, 100A1mA8.55nF @ 25VStandardNo-40°C ~ 175°C (TJ)Chassis MountSOT-227-4SOT-227