Artikelnummer Hersteller / Marke Kurze Beschreibung TeilstatusIGBT-TypAufbauSpannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)Aktuell - Sammler (Ic) (Max)Leistung maxVce (ein) (Max) @ Vge, IcAktuell - Kollektor Cutoff (Max)Eingangskapazität (Cies) @ VceEingangNTC-ThermistorBetriebstemperaturBefestigungsartPaket / FallLieferantengerätepaket
GeneSiC Semiconductor IGBT 1200V 100A SOT-227 ActivePTSingle1200V100A
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2V @ 15V, 100A1mA8.55nF @ 25VStandardNo-40°C ~ 175°C (TJ)Chassis MountSOT-227-4SOT-227