製造業者識別番号W949D2DBJX5I TR
メーカー/ブランドWinbond Electronics
利用可能な数量43140 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
製品カテゴリメモリ
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード W949D2DBJX5I TR.pdf

下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します W949D2DBJX5I TR 24時間以内に。

品番
W949D2DBJX5I TR
生産状況(ライフサイクル)
Contact us
メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
メモリの種類
Volatile
メモリフォーマット
DRAM
技術
SDRAM - Mobile LPDDR
メモリー容量
512Mb (16M x 32)
クロック周波数
200MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
15ns
アクセス時間
5ns
メモリインターフェイス
Parallel
電圧 - 供給
1.7 V ~ 1.95 V
動作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
90-TFBGA
サプライヤデバイスパッケージ
90-VFBGA (8x13)
重量
Contact us
応用
Email for details
交換部品
W949D2DBJX5I TR

によって作られた関連部品 Winbond Electronics

関連キーワード "W949D"

品番 メーカー 説明
W949D2DBJX5E Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
W949D2DBJX5E TR Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
W949D2DBJX5I Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
W949D2DBJX5I TR Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
W949D6DBHX5E Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
W949D6DBHX5E TR Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
W949D6DBHX5I Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
W949D6DBHX5I TR Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA