Hersteller-TeilenummerW949D2DBJX5I TR
Hersteller / MarkeWinbond Electronics
verfügbare Anzahl43140 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungIC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
ProduktkategorieSpeicher
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen W949D2DBJX5I TR.pdf

Bitte füllen Sie das untenstehende Anfrageformular aus, wir werden Ihnen das Angebot für W949D2DBJX5I TR innerhalb von 24 Stunden.

Artikelnummer
W949D2DBJX5I TR
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
Contact us
Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
Speichertyp
Volatile
Speicherformat
DRAM
Technologie
SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße
512Mb (16M x 32)
Taktfrequenz
200MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite
15ns
Zugriffszeit
5ns
Speicherschnittstelle
Parallel
Spannungsversorgung
1.7 V ~ 1.95 V
Betriebstemperatur
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / Fall
90-TFBGA
Lieferantengerätepaket
90-VFBGA (8x13)
Gewicht
Contact us
Anwendung
Email for details
Ersatzteil
W949D2DBJX5I TR

Verwandte Komponenten von Winbond Electronics

In Verbindung stehende Schlüsselwörter "W949D"

Artikelnummer Hersteller Beschreibung
W949D2DBJX5E Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
W949D2DBJX5E TR Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
W949D2DBJX5I Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
W949D2DBJX5I TR Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
W949D6DBHX5E Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
W949D6DBHX5E TR Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
W949D6DBHX5I Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
W949D6DBHX5I TR Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA