TPC8A06-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage Distributore
| codice articolo del costruttore | TPC8A06-H(TE12LQM) |
|---|---|
| Produttore / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
| quantité disponible | 98530 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | TPC8A06-H(TE12LQM).pdf |
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- Numero di parte
- TPC8A06-H(TE12LQM)
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Obsolete
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 30V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 12A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 10.1 mOhm @ 6A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.3V @ 1mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 19nC @ 10V
- Vgs (massimo)
- ±20V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 1800pF @ 10V
- Caratteristica FET
- Schottky Diode (Body)
- Dissipazione di potenza (max)
-
- temperatura di esercizio
-
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- 8-SOP (5.5x6.0)
- Pacchetto / caso
- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- TPC8A06-H(TE12LQM)
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Parole chiave correlate per "TPC8A0"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| TPC8A02-H(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B |
| TPC8A05-H(TE12L,QM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP |
| TPC8A06-H(TE12LQM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP |